在開發碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)元件的電力裝置工程師中,降低開關損失一直是一個重要的挑戰。為了評估Si、SiC和GaN MOSFET和IGBT的動態行為和測量其開關參數,工程師們通常會使用雙脈衝測試(DPT)這一標準測試方法。 |
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進行雙脈衝測試需要使用兩個裝置,一個是待測試的裝置(DUT),另一個通常是與 DUT 相同類型的裝置。在進行測試時,需要注意的是 " 高端 " 裝置上的電感負載,這是為了模擬轉換器設計中可能出現的電路條件。 |
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進行雙脈衝測試時,最簡單的方法是使用任意波形產生器 ( AFG ) 來生成閘極驅動信號。使用AFG可以創建閘極驅動器以進行雙脈衝測試。Tektronix AFG31000具有內置的雙脈衝測試應用程式,可以輕鬆地產生具有不同脈寬的脈衝信號。 |
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Tektronix 選購軟體寬能隙雙脈衝測試應用軟體(WBG-DPT) 可用於 MSO 4 / 5 / 5B / 6B 系列示波器,用以提供精確的寬能隙測量,使元件製造商和系統商更容易進行相關規格驗證。且WBG-DPT 選項根據 JEDEC 和 IEC 標準提供自動開關、定時和二極管反向恢復測量。此軟體與所有太克 VPI 測棒兼容,並且可與太克 IsoVu™ 探頭一起使用,它有助於在發現 SiC 或 GaN 元件在電路中所有隱藏的問題。 |
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反向恢復時間是指二極體開啟和關閉的速度,對轉換器的開關損失產生影響。當第二個脈衝開啟時,二極體會產生反向恢復電流。在第二階段,二極體處於正向導通狀態。當低端MOSFET再次開啟時,二極體應該立即切換到反向阻斷狀態,但實際上,二極體會短暫地以反向導通的狀態進行,這就是反向恢復電流。這種反向恢復電流會轉化為能量損失,直接影響功率轉換器的效率。 |
此選購軟體是根據以下標準設計: