【下載技術簡報】使用 4200A-SCS 參數分析儀簡化電荷幫浦量測

使用 4200A-SCS 完整解決方案 ｜有效表徵閘極介電層特性

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　完整的閘極介電層介面特性分析解決方案

電荷幫浦（Charge Pumping，CP）是一種廣為人知的量測技術，用於分析 MOS 結構中的半導體－介電層介面。

透過電荷幫浦電流（ICP）量測結果，可萃取出元件品質與劣化情況的重要資訊，

包括介面陷阱密度（Interface Trap Density）及平均捕獲截面（Mean Capture Cross Section）。

4200A-SCS 參數分析儀提供完整的電荷幫浦量測解決方案，
因為其內建執行高靈敏度量測所需的硬體設備，
同時搭配可自動化量測與結果分析的軟體功能。系統內建多種預設測試，
可執行大部分常見的電荷幫浦量測，例如脈衝基準電壓掃描（Pulsed Base Voltage Sweep）
及脈衝電壓振幅掃描（Pulsed Voltage Amplitude Sweep）。

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Keithley 4200A-SCS 參數分析儀

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適用於材料、半導體元件與製程開發的終極參數分析儀

4200A-SCS 可協助加速半導體元件、材料與製程開發的研究工作，以及可靠度評估與故障分析。

作為高效能參數分析儀，4200A-SCS 結合功能強大的 Clarius 軟體， 可同步執行電流－電壓（I-V）、電容－電壓（C-V）及超高速脈衝 I-V 量測，提

供快速、清晰且值得信賴的測試結果。

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快速且清晰的參數洞察

推動創新研究與技術突破從未如此輕鬆。

4200A-SCS 參數分析儀可將從系統設定到開始執行特性分析測試的時間縮短多達 50%，在提升效率的同時，仍保有完整且不妥協的量測與分析能力。此外，內建的量測專家功能提供業界領先的測試指引，協助使用者建立最佳量測流程，並對測試結果保有高度信心。

 

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產品亮點：

• 先進量測硬體平台，完整支援 DC I-V、C-V 與脈衝 I-V 等多種電性量測應用
• Clarius 軟體內建數百種可由使用者自行修改的應用測試範本，開機後即可立即開始量測
• 提供即時自動化參數萃取、資料繪圖與分析功能，加速元件特性分析流程並提升測試效率

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