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Double Pulse Testing
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Tektronix Double Pulse Testing 雙脈衝測試方案 | 洛克Lockinc

Double Pulse Testing

Tektronix Double Pulse Testing 雙脈衝測試方案

產品說明
Tektronix 雙脈衝測試 (DPT) Double Pulse Testing是一種行業標準技術,是一種量測切換參數並評估電源裝置動態行為的方法 (如 : JEDEC 和 IEC ),用於在開啟、關閉和反向恢復期間測量一系列重要參數;DPT 待測物可以是功率元件或二極體,功率元件可以是 Si、SiC 或 GaN MOSFET 或 IGBT 等元件。
應用摘要 (1.3 MB)
WBG-DPT 應用數據表 (2.0 MB)
功能說明

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測量開關參數的標準方法

在開發碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)元件的電力裝置工程師中,降低開關損失一直是一個重要的挑戰。為了評估Si、SiC和GaN MOSFET和IGBT的動態行為和測量其開關參數,工程師們通常會使用雙脈衝測試(DPT)這一標準測試方法。

雙脈衝測試 Double Pulse Testing(DPT)是一種量測切換參數並評估電源裝置動態行為的方法,可以測量元件在導通和關閉過程中產生的能量損失,以及反向恢復參數。
 



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雙脈衝測試的基礎知識

進行雙脈衝測試需要使用兩個裝置,一個是待測試的裝置(DUT),另一個通常是與 DUT 相同類型的裝置。在進行測試時,需要注意的是 " 高端 " 裝置上的電感負載,這是為了模擬轉換器設計中可能出現的電路條件。

測試所需的儀器包括電源或SMU(Source Measure Unit),用於提供電壓;任意波形發生器(AFG),用於輸出脈衝並觸發MOSFET的閘極開啟以開始導通電流;以及示波器,用於測量產生的波形。

 

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如何為雙脈衝測試
生成閘極驅動器

進行雙脈衝測試時,最簡單的方法是使用任意波形產生器 ( AFG ) 來生成閘極驅動信號。使用AFG可以創建閘極驅動器以進行雙脈衝測試。Tektronix AFG31000具有內置的雙脈衝測試應用程式,可以輕鬆地產生具有不同脈寬的脈衝信號。

 

 


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如何測量開啟和關閉時間
以及能量損耗

Tektronix 選購軟體寬能隙雙脈衝測試應用軟體(WBG-DPT) 可用於 MSO 4 / 5 / 5B / 6B 系列示波器,用以提供精確的寬能隙測量,使元件製造商和系統商更容易進行相關規格驗證。且WBG-DPT 選項根據 JEDEC 和 IEC 標準提供自動開關、定時和二極管反向恢復測量。此軟體與所有太克 VPI 測棒兼容,並且可與太克 IsoVu™ 探頭一起使用,它有助於在發現 SiC 或 GaN 元件在電路中所有隱藏的問題。
 


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測量反像恢復

反向恢復時間是指二極體開啟和關閉的速度,對轉換器的開關損失產生影響。當第二個脈衝開啟時,二極體會產生反向恢復電流。在第二階段,二極體處於正向導通狀態。當低端MOSFET再次開啟時,二極體應該立即切換到反向阻斷狀態,但實際上,二極體會短暫地以反向導通的狀態進行,這就是反向恢復電流。這種反向恢復電流會轉化為能量損失,直接影響功率轉換器的效率。

 


WBG-DPT 主要效能規格
  • 符合 JEDEC 和 IEC 標準的 13 項量測功能
    • Switching Parameter: Eon, Eoff, Vpeak, Ipeak.
    • Switching Time: Td(od), Td(off), Tr, Tf, Ton, Toff
    • Diode Recovery: Trr, Qrr, Err
  • 可測試 SiC 或 GaN 元件以及 Si MOSFET 和 IGBT元件
  • 可指定第一個、第二個或多個想要量測的脈衝區域,進行量測並且在波形上標示相關的註釋
  • 針對要量測的區域在波形上標上註釋
  • 在多個脈衝訊號中可輕易的定位要量測的區域
  • 獨特的邊緣細化算法可用來分析帶有雜訊的波形
  • 所有測量和相關設定都可程式化,搭配自動化系統可達到完全自動化的量測
  • 支援自動和自定義參考電壓,進行有效率且準確的識別開 / 關區域並進行量測
  • 柵極電源上的遲滯壓設定置有助於避免邊緣錯誤
  • 透過 Tektronix MSO 4 / 5 / 5B / 6B 系列示波器上直觀的拖放界面可做快速設定和並進行測量

此選購軟體是根據以下標準設計:

  • Double Pulse Test (DPT)
    • IEC 60747-9
    • JEP182
    • IEC 60747-8
  • Diode Reverse Recovery
    • JESD24-10
    • IEC 60747-9
可執行以下量測:
 
  • Low side switching parameters and High side diode reverse recovery measurements.
  • Low side and High side switching parameters.
影片
寬能隙裝置的雙脈衝測試
雙脈衝測試是量測 MOSFET 或 IGBT 功率裝置切換參數的標準方法。根據以往的經驗,這是一個非常耗時的過程。
看看附有內建軟體應用程式的 Tektronix AFG31000 任意函數產生器如何為您顯著地簡化此程序。

使用 AFG31000 進行雙脈衝測試
這段影片展示了如何使用 Tektronix AFG31000 任意函數發生器內置的軟件進行雙脈衝測試的設置和執行。現在,您不需要花費時間在個人電腦或微控制器上製作波形,只需在 AFG31000 上不到一分鐘的時間內就能完成雙脈衝測試的設置。
雙脈衝測試 - 能量損耗測量
功率半導體的開關性能常使用雙脈衝測試進行特徵化。現在這種測試已經廣泛應用於GaN和SiC MOSFET。本視頻解釋了如何使用Tektronix示波器和雙脈衝測試軟件進行精確、可重複的能量損失(EON和EOFF)測量。
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