【下載應用摘要】GaN HEMT 功率裝置直流特性分析的挑戰

為滿足市場上各式各樣的新要求，電力電子技術的變化日新月異。如何減少二氧化碳排放、提高效率、降低功耗以及縮小系統尺寸，這些因素一直是電力電子應用新技術的主要驅動力。

寬能隙 (WBG) 半導體廣泛應用於電力電子裝置中的功率轉換。具體而言，氮化鎵 (GaN) 裝置已普遍用於高速應用，包括消費產品和高功率使用案例，因為 GaN 裝置運作速度非常快、效率高，同時還封裝在小型結構中。

然而，直流 I-V 特性分析仍存在一些挑戰。此應用摘要將提供有關直流特性分析期間 GaN HEMT 裝置振盪的詳細資訊，並提出減輕所述振盪的最佳方法。

本應用摘要討論了振盪挑戰並提供了最佳實作 (最佳化佈線和連接、添加鐵氧體或電容等) ，以最充分地滿足最小化或消除不同振盪因素的需求。

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