碳化矽如何推動電動車革命?
本影片涵蓋:
在純電動車的傳動系統逆變器中,碳化矽 (SiC) MOSFET 正在取代矽 IGBT。在本演講中,我們將討論材料特性的組合,這些特性能使 SiC 成為高電壓、快速切換、高溫功率半導體。然而,我們也會關注仍然存在的挑戰,特別是在降低整個 SiC 供應鏈的成本方面,其中基板市場的創新,加上製造產量和裝置加工的逐步改進,將會在未來幾年降低相關的成本。
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