雙脈衝測試: 智慧探測還是電纜怪物？
請觀看這部網路研討會的影片，瞭解更多資訊！
如何使切換損耗降至最低仍是從事 SiC 和 GaN 裝置工作的電源裝置工程師所面臨的主要挑戰。
用於量測切換參數和評估 Si、SiC 和 GaN MOSFET 和 IGBT 動態行為的標準測試方法是雙脈衝測試 (DPT)。
在本隨選點播網路研討會中，您將：
- 瞭解正確測試碳化矽 (SiC) 裝置的技術。
- 檢閱建立雙脈衝測試設定的注意事項。
- 概覽基本設備、設定、連接和探棒。
- 查看探測策略的技術注意事項。
解鎖產業專家 Masashi Nogawa（Qorvo 系統工程師）對寬頻隙雙脈衝測試的寶貴見解。立即觀看！
演講者：
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Masashi Nogawa
Qorvo系統工程師
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Masashi Nogawa 是 Qorvo 電源管理團隊的系統工程師。他在電力電子領域擁有超過 25 年的經驗，負責定義新的電力轉換產品。 Masashi 在日本東京電子通訊大學 (Tokyo Electro-Communication University) 獲得了電機工程學士和碩士學位，並擁有 14 項美國專利，範圍從切換調節器到顯示控制器。 |
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